成都忠源电子—什么是IGBT

   更新日期:2019-11-22     来源:建材之家    作者:13568979176    浏览:85    评论:0    
核心提示:IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的

铜门为什么比别的门类贵

推荐简介:铜门为什么比别的门类贵对于铜门,消费者们除了关注它富丽堂皇的外表,关注它强大可靠的防盗性能外,关注较多的便是它的价格了。问的较多的,便是铜门为何会这么贵?确实,在这么多种类的门中,唯有铜门的价格是较贵的,单价也要2500元左右一平方。那铜门的价格为什么会这么贵呢?当然是有很多原因的。铜门之所以这么贵,并非铜门厂在牟取暴力,胡乱定价,而是因为铜门原材料的价格非常贵。铜自古以来就是地位和身份的象征,......
IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时,OSFET内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT管导通,此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降 在栅极上加负电压时,MOSFET内的沟道消失,PNP晶体管的基极电流被切断,IGBT管即关断IGBT管与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极发射极间施加十几伏的直流电压,只有微安级的漏电流,基本上不消耗功率,显示了输入阻抗大的优点。



相关建材词条解释:

IGBT

IGBT左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。

MOSFET

图1是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底,在其面上扩散了两个N型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层,最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极),如图所示。 从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结。一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起,这样,相当于D与S之间有一个PN结。图1是常见的N沟道增强型MOSFET的基本结构图。为了改善某些参数的特性,如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺,构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。虽然有不同的结构,但其工作原理是相同的,这里就不一一介绍了。

栅极

一、真空电子管栅(shan)极多极电子管中最靠近阴极的一个电极。用金属丝制成细丝网或螺旋线的形状,用于控制板极电流的强度,或改变电子管性能。二、场效应管栅极场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极(G,代表英文gate,也可叫门极),漏极(D,代表英文drain),源极(S,代表英文source),它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。

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